對(duì)于一個(gè)電子產(chǎn)品，總功耗為該產(chǎn)品正常工作時(shí)的電壓與電流的乘積，這就是低功耗設(shè)計(jì)的需要注意事項(xiàng)之一。
為了降低產(chǎn)品的功耗，在電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)盡量采用低開(kāi)啟電壓MOS管的產(chǎn)品。比如一個(gè)產(chǎn)品，曾經(jīng)用5v單片機(jī)正常工作，后來(lái)又了3.3v的單片機(jī)或者工作電壓更低的，那么就是在第一層次中進(jìn)行了低功耗設(shè)計(jì)，這也就是我們常說(shuō)的研發(fā)前期低功耗器件選擇。這一般需要有廣闊的芯片涉獵范圍或者與供應(yīng)商有良好的溝通。
其次是模塊工作的選擇控制，一般選擇具有休眠功能的芯片。比如在設(shè)計(jì)一個(gè)系統(tǒng)中，如果某些外部模塊在工作中是不經(jīng)常使用的，我們可以使其進(jìn)入休眠模式或者在硬件電路設(shè)計(jì)中采用數(shù)字開(kāi)關(guān)來(lái)控制器工作與否，當(dāng)需要使用模塊時(shí)將其喚醒，這樣我們可以在整個(gè)系統(tǒng)進(jìn)入低功耗模式時(shí)，關(guān)閉一些不必要的器件，以起到省電的作用，延長(zhǎng)了待機(jī)時(shí)間。一般常用方法：①具有休眠模式的功能芯片②MOS管做電子開(kāi)關(guān)③具有使能端的LDO芯片。
再次，選擇具有省電模式的主控芯片。現(xiàn)在的主控芯片一般都具有省電模式，通過(guò)以往的經(jīng)驗(yàn)可以知道，當(dāng)主控芯片在省電模式條件下，其工作電流往往是正常工作電流的幾分之一，這樣可以大大增強(qiáng)消費(fèi)類產(chǎn)品電池的使用時(shí)間。同時(shí)，現(xiàn)在一些控制芯片具有雙時(shí)鐘的模式，通過(guò)軟件的配置使芯片在不同的使用場(chǎng)合使用不同的外部始終從而降低其功耗。這與始終分頻器具有異曲同工之妙，不同之處想必就是BOM的價(jià)格問(wèn)題?，F(xiàn)在火爆的APPLE WATCH就是低功耗的一個(gè)例子：全功能運(yùn)行3-4小時(shí)，持續(xù)運(yùn)行18小時(shí)。
主控芯片或者相關(guān)模塊喚醒的方式選擇。通常進(jìn)過(guò)以上的步驟設(shè)計(jì)好了硬件結(jié)構(gòu)，在系統(tǒng)需要省電，在什么時(shí)候進(jìn)入省電模式，這一般在軟件設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)，但是最主要還是需要根據(jù)產(chǎn)品的功能特性來(lái)決定了。當(dāng)系統(tǒng)進(jìn)入了省電模式，而系統(tǒng)的喚醒也需要控制。一般系統(tǒng)的喚醒分為自動(dòng)喚醒和外部喚醒。
A、自動(dòng)喚醒是使用芯片內(nèi)部的定時(shí)器來(lái)計(jì)時(shí)睡眠時(shí)間，當(dāng)睡眠時(shí)間達(dá)到預(yù)定時(shí)間時(shí)，自動(dòng)進(jìn)行喚醒。這與我們使用的看門(mén)狗或者中斷有比較相近之處，不同就是其工作與否的時(shí)序。
B、 外部喚醒就是芯片一直處于一種休眠狀態(tài)，當(dāng)有一個(gè)外部事件(主要是通過(guò)接口)來(lái)對(duì)芯片進(jìn)行一個(gè)觸發(fā)，則芯片會(huì)喚醒，在事件處理之后消除該觸發(fā)事件而在此進(jìn)入休眠狀態(tài)。因此，根據(jù)系統(tǒng)的特性，就需要進(jìn)行軟件設(shè)計(jì)時(shí)，來(lái)決定如何使用睡眠及喚醒，以降低系統(tǒng)的功耗。
低內(nèi)阻mos管
MOS管導(dǎo)通電阻小，可以降低導(dǎo)通時(shí)的功耗。但無(wú)論什么元件器件，追求某項(xiàng)指標(biāo)必會(huì)影響其它指標(biāo)。以MOS管來(lái)說(shuō)，高耐壓與低電阻是矛盾的，不可兼得，所以不能說(shuō)導(dǎo)通電阻越小越好，因?yàn)檫@是犧牲其它性能獲得的。但是一般mos管額定電流越大,額定導(dǎo)通電阻也就越小。
內(nèi)阻的特點(diǎn)
1、創(chuàng)新高壓技術(shù)
2、低柵極電荷
3、定期額定雪崩
4、較強(qiáng)dv/dt能力
5、高電流峰值
低開(kāi)啟電壓mos管型號(hào)
|
Part Numbe |
ID（A） |
VDSS（v） |
RDS（Ω）（MAX） |
RDS（Ω）（TYP） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
5610 |
5.4 |
100 |
0.31 |
0.28 |
508 |
|
840S |
8 |
500 |
0.9 |
0.7 |
960 |
|
4820A |
9 |
200 |
0.4 |
0.26 |
670 |
|
10N60H |
9.5 |
600 |
0.73 |
0.6 |
1570 |
|
6035 |
11 |
350 |
0.48 |
0.38 |
844 |
|
12N60H |
12 |
600 |
0.65 |
0.53 |
1850 |
|
13N50H |
13 |
500 |
0.48 |
0.4 |
1600 |
|
6410A |
15 |
100 |
0.09 |
0.072 |
1480 |
|
16N50H |
16 |
500 |
0.38 |
0.32 |
2200 |
|
7610A |
25 |
100 |
0.038 |
0.032 |
2020 |
烜芯微專業(yè)制造二極管，三極管,MOS管，橋堆20年，工廠直銷省20%，1500家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點(diǎn)擊右邊的工程師,或者點(diǎn)擊銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹